畅通信、工业和企业运用的时新600V E系列功比值
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  新来,Vishay Intertechnology, Inc.发表发出产,铰出产第四代600V E系列功比值MOSFET的首颗器件——SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的带畅通电阻比前壹代600V E系列MOSFET低30%,为畅通信、工业和企业级电源供了高效力的处理方案。此雕刻颗器件具拥有业内最低的优值系数 (FOM 即栅极电荷与带畅通电阻迨积),该参数是600V MOSFET在功比值替换运用的关键目的注。

  “我们允诺言为客户供顶持所拥有功比值替换经过的各种MOSFET技术,涵盖需寻求压服输入到压服输入的各种最新的电儿子体系”,Vishay市场展开部初级尽监David Grey说到,“拥有了SiHP065N60E和行将颁布匹的第四代600V E系列产品,我们就却以在设计电源体系架构的初期就完成提高效力和功比值稠密度的目的,带拥有功比值因数校阅和遂后的压服DC/DC替换器砖式电源。”

  SiHP065N60E采取Vishay最新的高能效E系列超级结技术创造,在10V下的最父亲带畅通电阻为0.065Ω,栅极电荷低到49nC。器件的FOM为2.8Ω*nC,比同类最接近的MOSFET低25%。SiHP065N60E的拥有效输入电容Co(er)和Co(tr)区别条要93pf和593pF,却改革开关干用。在畅通信、工业和企业电源体系的功比值因数校阅和坚硬开关DC/DC替换器拓扑中,此雕刻些干用参数意味着更低的传带和开关亏耗。

  此次颁布匹的器件采取TO-220AB查封装,适宜RoHS,无卤斋,却接受雪崩花样中的度过压瞬变,同时保障限值经度过了100% UIS测试。

  SiHP065N60E即兴却供战利品,在2017年1月完成量产,供货周期为什周。

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